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英特爾盈餘變化表：
資料來源：XQ全球贏家
英特爾獲利指標表：
資料來源：XQ全球贏家
英特爾盈現金流量表：
資料來源：XQ全球贏家
英特爾盈營收變化表：
資料來源：XQ全球贏家
短評：
1.英特爾2012年全年稅後淨利衰退15.32%，2013年第一季稅後淨利衰退24.88%，獲利衰退趨勢尚未出現明顯改善現象。
2.該公司營業利益率從過去動輒30%，持續下降至2013年第一季的20.02%，本業獲利能力明顯弱化之中。
3.該公司2012年之現金再投資率為52.8%，並不低，只要營收成長動能轉強，則該公司獲利恢復成長並不難。該公司2012年全年營收小幅衰退1.22%，2013年第一季則衰退2.53%。
台積電合併季累計財務比率表：
資料來源：XQ全球贏家
台積電現金流量統計表：
程式設計：Tivo168
短評：
1.台積電2012年全年稅後淨利成長23.44%，2013年第一季稅後淨利尚未公告，但以該公司2013年第一季的營收成長率達25.7%，第一季稅後淨利可望維持穩定成長。
2.該公司2012年之營業利益率35.76%，明顯高於英特爾之2013年第一季的20.02%，本業獲利能力依舊相當優異，此顯示該公司在整個產業之中，仍穩定居於領先地位。
3.該公司2010、2011、2012年之現金再投資率分別為75.7%、69.73%、78.73%，平均達74.72%，為公司成立以來最高的資本投資動作，只要營收成長動能維持成長，則該公司獲利將可在未來幾年內維持高成長。該公司2012年全年營收成長18.54%，2013年第一季則成長25.7%。
結論：
英特爾的獲利現況尚未脫離衰退窘境，而台積電則可望維持高獲利成長期；以一家獲利衰退公司的本益比(以2012年獲利水準推估約9.925倍)，來套在獲利成長可能高達20%以上的台積電(2330)，恐怕只會讓人覺得不可思議！再度讓我見識到台灣半調子分析師的企業評價功力真是了得！
台積電還原股價月線與英特爾股價對照圖：
資料來源：XQ全球贏家
精實新聞 2013-04-18 16:18:21 記者 羅毓嘉 報導
台積電(2330)在今日舉行的法說會上宣佈將今年的總資本支出(CapEx)自原先預估的90億美元提高到95-100億美元，強化28奈米以下的先進製程產能，不僅歐美日主力設備供應商將獲大單，國內設備協力廠亦有受惠空間可期；尤其台積電期望能提前20與16奈米的量產時程，漢微科(2658)、閎康(2587)等位居高端檢測與分析供應鏈的廠商，受惠幅度更被市場所看好。台積電過去多向Applied Materials、ASML、Tokyo Electron、Advantest、KLA-Tencor等歐、美、日系設備大廠採購晶圓生產與檢測設備，不過近年 來，台積電為響應半導體設備國產化的產業政策，台積電亦陸續對國內本土設備或零件耗材供應商釋出採購訂單。
在全球最大晶圓代工廠的「火車頭」帶動之下，包括漢微科、閎康、家登(3680)、弘塑(3131)、翔名(8091)、中砂(1560)、辛耘(3583)等供應鏈族群，均被市場點名為台積電資本支出擴張的核心受惠族群。
事實上，台積電去年底已宣告全年度資本支出規模將達90億美元，較去年83億美元增長近1成。在今日的法說會上，董事長張忠謀並進一步宣佈將今年資本支出提高到95-100億美元，等於今年資本支出將年增14.4-20.5%，其中有9成將用於28、20、16奈米先進製程產能的佈建，其中龐大的廠房設備、零件與耗材商機不言可喻。
根據台積電釋出消息，今年度資本支出再調高，主要是著眼於加速20與16奈米製程的量產時程，避免先進製程量產初期的產能吃緊問題；在台積電佈建產能、優化良率的動力推升下，包括漢微科、閎康等位居製程檢測與分析關鍵位置的合作夥伴，今年設備與訂單基礎將更形穩固。
另一方面，台積電不僅加緊腳步跨入20奈米以下製程，今年也將是台積電28奈米量產更快、更順暢的一年，市場也看好晶圓傳載盒供應商家登、後段濕製程設備商弘塑、離子植入機耗材廠翔名、以及再生晶圓供應商中砂和辛耘等廠商，業績動能將有進一步轉強空間。
在台積電強勁的設備採購需求支撐下，持續讓台灣居於全球最大半導體設備市場位置，根據半導體設備與材料協會(SEMI)預估，今年度全球半導體設備總銷售額將達美金374.2億元，年減2.1%，但台灣、日本與中國將呈現微幅至和緩的成長走勢，其中台灣將以98億美元規模，蟬聯世界最大設備市場。
精實新聞 2013-04-18 16:50:26 記者 王彤勻 報導
台積電(2330)今(18日)舉行法說會，除釋出Q2營收將有17%超出預期的成長力道，以及今年資本支出將上看百億美元的震撼彈外，關於先進製程的最新進度，董事長張忠謀指出，今年Q1 28奈米的毛利率已優於台積電產品的平均毛利率，而台積也仍維持今年28奈米營收佔比逾3成，且出貨量、營收都將較去年翻3倍的看法。而20奈米，張忠謀則預估會在2014年Q2開始有營收貢獻，16奈米也將緊接在20奈米量產後一年的2015年，接棒量產。
張忠謀表示，台積電的28奈米相較於對手擁有兩大優勢：首先是台積28奈米的LP製程良率優於競爭者，第二則是台積的28奈米HKMG製程採用的是後閘極(gate-last)技術，而業界對手提供的則是前閘極(gate-first)技術，台積因此能夠提供具差異化的製程，且後閘極技術能提供更佳的晶片效能。
至於20奈米方面，他則重申，將於2014年Q2開始有較明顯的營收貢獻，不過不能透露屆時的營收佔比。而張忠謀也估，20奈米的毛利率可望在正式量產7-8季後，追上台積產品毛利率的平均值。而今年底前，台積也將有20個20奈米的設計定案(tape-out)。
張忠謀表示，16奈米FinFET製程可望於2015年順利量產，和20奈米間僅間隔一年，優於往年兩個製程量產間隔的兩年，主要是因為16奈米和20奈米製程之間有很多相似之處，量產經驗可以相互重疊、學習所致。
關於外界質疑台積28奈米是否將與更多競爭者對打，客戶也將紛紛尋找第二供貨來源(second source)？對此張忠謀則強調，要成為客戶的second source也不是那麼容易，他對市場上的競爭也並不擔心，認為台積28奈米量產的第二年，市佔率還是會很高。
精實新聞 2013-04-18 17:14:57 記者 王彤勻 報導
台積電(2330)董事長張忠謀(見附圖)今日再釋出對半導體景氣的風向球，他預估，今年半導體產業可望年增4%、優於先前預估的3%，此外，Fabless
IC設計可望年增9%，不過晶圓代工產業則可望年增10%，優於上次法說會上預估的7%，顯見相較於3個月前，他對於景氣看法更為樂觀。
台積於此次法說會上釋出Q2營收將季增17%的財測預估， 與日前張忠謀提出，Q2營收因客戶庫存堆高，因此僅會有「反彈」，但不會「強勁反彈」的說法大異其趣，也跌破外資、法人眼鏡。
張忠謀表示，先前自己太悲觀，不過目前看來台積Q2營運表現將遠優預期，主要是智慧型手機於中國大陸等新興市場熱銷，台積的客戶也在當地贏得更多市佔，台積因此受惠。而今日，他也同步調高對半導體產業今年成長幅度的預估值。
張忠謀並表示，今年台積的成長幅度將比晶圓代工產業「好很多」(much better)，意謂台積今年營收年增幅度將至少在1成以上。
關於今年資本支出的調高，現場有法人提問這是否表 示半導體巨頭資本支出的戰爭升溫，且全球半導體產業有資本支出集中化的現象產生？對此張忠謀回應，台積的資本支出從來就是為了自己，以滿足客戶的需求為優先，而不是為了跟別人(如三星、英特爾)爭一口氣。
台積今年95-100億美元的資本支出中，張忠謀估會有90%用於28/20/16奈米產能的佈建，另外5%用於RD，2%用於特殊製程(包括audio codec、電源管理、touch sensor、motion sensor、CIS等)，另外1%為竹南購地的相關支出，另外2%則是其他。
台積電 啟動新一波高成長 |
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張忠謀表示，台積電2009年開始啟動高資本支出、高研發政策，過去四年來，台積電每年營收締造新猷，四年來的年獲利也有三次創新高。這次調高資本支出，意味著台積電將啟動另一波高成長，未來三至五年的獲利年複合成長率將超過一成。 台積電也調高今年產能的年增目標，總產能從原先預估年增10%上升至11%，12吋總產能年增目標從15%提高到17%。 上修後的資本支出，有90%將用於28、20、16奈米以下的產能擴建，5%用於研發支出，包含10奈米與7奈米以下設計，2%用於特殊製程需求。
台積電28奈米占第1季營收24%，已是營收最高製程來源，今年不只28奈米總產能要比去年大增三倍，營收也會比去年成長三倍，等於從去年615億元大增到1,845億元，占全年營收將超越三成。 台積電調高資本支出，主要投入20奈米與16奈米鰭式電晶體（Finfet）的前期投資，20奈米已有20個產品設計定案（Tape out）。張忠謀說，20奈米從2014年開始量產，預期20奈米第一年與第二年的產出，會比28奈米的前兩年產出來得大。
新聞辭典》20奈米、3D Finfet 隨著摩爾定律的演進，以前IC是「微電子」技術，因為電晶體的大小是在微米（百萬分之1米，也就是1／1,000,000）等級；2001年起，摩爾定律進到IC小於0.1微米，也就是小於100奈米，宣告步入奈米時代。 在半導體中，20奈米指的是「線寬」的粗細，20奈米是28奈米的下一世代技術，16奈半或14奈米則是20奈米的下一世代技術。 越小的線寬，代表電晶體的尺寸越小；線寬越細，元件就越小，每個晶片上所能儲存的資料量就越大，速度也越快。越小的晶片，越適合行動運算等各種裝置，符合輕薄短小、省電、高效能需求。 此外，進入16奈米以下的先進製程後，半導體將全面進入3D鰭式電晶體（Finfet）技術，這是一種新的互補式金氧半導體（CMOS）電晶體。 相較於傳統電晶體若要控制電流通過閘門，只能選擇在閘門的一側來控制，屬於平面式的結構；3D Finfet的閘門，是類似魚鰭般的三面立體式設計，能大幅改善電路控制，減少因通道貫穿所產生的漏電問題。 利用3D Finfet，將能順利讓晶片發展到10奈米以下。這項技術上的突破，未來可讓超級電腦設計成只有指甲般大小。 焦點個股： 【2013/04/19 經濟日報】 |
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